抗辐射数字电路加固技术研究

• 作者: 周淼 徐大为 徐静 洪根深 肖志强 陈玉蓉 高向东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐射 SOI 总剂量
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 37-39,48
• 分类号: TN306
• 字数: 2126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.02.016

摘要

文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法：通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能力。为了验证加固方法的可靠性,设计了一款电路进行抗总剂量、抗瞬态剂量率、抗中子辐射、抗单粒子辐射等多种试验。通过辐照试验结果可以看到,采用抗辐照方法设计的电路具有较强的抗辐照能力,为今后抗辐照电路的研制和开发奠定了坚实的基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	徐大为		5	13	2.0	3.0
3	徐静		16	27	4.0	5.0
4	高向东		6	22	4.0	4.0
5	周淼		4	13	2.0	3.0
6	肖志强		10	60	5.0	7.0
7	陈玉蓉		2	10	2.0	2.0