Te溶剂-Bridgman法Cd0.9Mn0.1Te晶体生长习性研究

• 作者: 介万奇 杜园园 栾丽君 王涛 郑昕 齐阳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cd0.9Mn0.1Te晶体 Te溶剂-Bridgman法 红外透过率 电阻率 位错
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 306-311
• 分类号: TN304
• 字数: 2618字
• 语种: 中文

摘要

采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻；采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界；采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60％,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.