热蒸发制备CdSe薄膜及其光电特性研究

• 作者: 徐平川 曾体贤 王志红
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe薄膜 热蒸发 接触势垒 带隙能量 Urbach能量
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 687-691,697
• 分类号: O484
• 字数: 2004字
• 语种: 中文

摘要

采用真空热蒸发法技术制备CdSe薄膜,通过XRD、SEM、Hall效应和分光光度计测试了薄膜的结构、表面形貌、I-V特性和光学透过率.结果表明:CdSe薄膜(100)晶面的面间距为0.369 nm,晶粒大小约为10.2 nm,薄膜表面晶粒分布较为均匀；CdSe薄膜与锡和银的肖特基势垒高度分别为0.76V和0.69V；CdSe薄膜的光透过率在远红外区较高,且呈上升趋势；折射率随波长增加按指数规律减小；根据Tauc关系和Urbach规则,获得能量带隙为1.79 eV和Urbach能量为0.217 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐平川	西华师范大学物理与电子信息学院	41	55	4.0	7.0
2	王志红	西华师范大学物理与电子信息学院	14	5	1.0	2.0
3	曾体贤	西华师范大学物理与电子信息学院	47	165	5.0	12.0