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摘要:
采用直流热阴极PCVD( Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控.间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行.采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较.结果表明,当单个生长周期为30m in(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜
来源期刊 新型炭材料 学科 化学
关键词 直流热阴极 CVD 间歇生长模式 金刚石膜
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 307-310
页数 分类号 O613.71|TQ163
字数 2828字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姜宏伟 牡丹江师范学院理学院 29 46 3.0 5.0
2 彭鸿雁 牡丹江师范学院理学院 29 94 6.0 8.0
3 尹龙承 牡丹江师范学院理学院 18 25 2.0 3.0
4 陈玉强 牡丹江师范学院理学院 27 60 5.0 7.0
5 黄海亮 牡丹江师范学院理学院 18 26 3.0 4.0
6 贾相华 牡丹江师范学院理学院 12 15 2.0 3.0
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直流热阴极
CVD
间歇生长模式
金刚石膜
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