高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究

• 作者: 付雪涛 张丽卿 张崇宏 王书明 王新强 马通达
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓异质结 应变弛豫 电子辐照 弹性原子链模型
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 450-454
• 分类号: TG146.4+31
• 字数: 2836字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.022

摘要

利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1 × 1015/cm2和5×1015/cm2.经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(1012)高分辨X射线衍射峰分别向高角和低角发生移动,表明电子辐照使GaN外延层发生了部分应变弛豫.利用电子背散射衍射(EBSD)对应变弛豫进行了表征.EBSD结果显示,剂量为5×1015/cm2的电子辐照相对于1×1015/cm2的电子辐照可诱导GaN外延层发生更为显著的应变弛豫.卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)实验结果表明,5×1015/cm2的电子辐照对GaN外延层引入更为严重的辐照损伤.上述实验结果表明,GaN外延层的应变弛豫与2 MeV的电子辐照引入的缺陷如弗伦克尔对有关.运用弹性原子链模型(EACM)对电子辐照诱导GaN外延层应变弛豫机制进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张崇宏	中国科学院近代物理研究所	50	169	7.0	11.0
2	王书明		14	79	6.0	8.0
3	马通达		10	18	4.0	4.0
4	付雪涛		2	0	0.0	0.0
5	张丽卿	中国科学院近代物理研究所	13	23	2.0	4.0
6	王新强	北京大学物理学院	9	12	2.0	3.0