磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究

• 作者: 丰云 沈向前 肖清泉 谢泉
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 靶材刻蚀 计算机模拟 状态分布
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 65-69
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2012.01.016

摘要

靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素.本文用有限元 分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particle in cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopping and range of ions in matter)模拟了靶材的溅射特性,得到了靶材的刻蚀形貌和刻蚀速度,并讨论了不同工作气压和不同阴极电压对靶材刻蚀的影响.模拟结果表明:靶材刻蚀形貌与磁场分布有关,磁通密度越强,对应的靶材位置刻蚀越深；靶材的刻蚀速度随阴极电压的增大而增大,而当工作气压增大时,靶材的刻蚀速度先增大后趋向平衡,当工作气压超过一定的值时,刻蚀速度随气压的增大开始减小.模拟结果与实验观测进行了比较,二者符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	肖清泉	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	40	199	7.0	13.0
3	沈向前	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	5	27	4.0	5.0
4	丰云	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	4	24	4.0	4.0