AgCd和AgSn合金粉的相结构分析

• 作者: 乔秀清 吴兴合 樊先平 穆成法 贺庆 陈乐生
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: AgCd AgSn 相结构分析 相图 XRD
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 研究·分析
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TM201.3
• 语种: 中文

摘要

采用X射线衍射及峰形拟合技术,结合AgCd和AgSn合金相图对雾化工艺制备的AgCd和AgSn合金粉的相结构进行分析,结果表明,AgCd雾化合金粉中Cd原子进入Ag的晶格格点位置,形成固溶结构,在氧化后可以使Ag与CdO之间有比较牢固的化学键结合；AgSn雾化合金粉中含有Ag3Sn和Sn两相,析出的Sn相与Ag相晶体结构差异较大,氧化后Ag与SnO2之间的结合不牢固,这可能是导致AgCdO电接触材料比AgSnO2电接触材料性能优越的一个重要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊先平	浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院	56	517	12.0	20.0
5	陈乐生		5	3	1.0	1.0
9	贺庆	浙江大学材料科学与工程学系	14	132	7.0	11.0
10	乔秀清	浙江大学材料科学与工程学系	5	33	2.0	5.0
11	穆成法		2	2	1.0	1.0
12	吴兴合		1	1	1.0	1.0