量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响

• 作者: 林楠 林涛 郑凯 马新尖 马骁宇
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱混杂 光致发光谱 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 39-44
• 分类号: TN304
• 字数: 4186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2012.01.007

摘要

研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律.当扩散时间为20 min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13 nm增加到65 nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减小.较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林涛	西安理工大学自动化与信息工程学院	18	40	4.0	5.0
2	郑凯	中国科学院半导体研究所	15	61	6.0	7.0
3	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
4	林楠	西安理工大学自动化与信息工程学院	2	10	2.0	2.0
5	马新尖	西安理工大学自动化与信息工程学院	3	10	2.0	3.0