基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器

• 作者: 汪莱 罗毅 郝智彪 郭智博
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 氢气传感 灵敏度 恢复特性
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 1089-1092
• 分类号: TN386.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.12.06

摘要

制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器.栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用.器件的栅极敏感区域尺寸为5 μm×400μm,对常温下氢气浓度为2× 10-6至6216× 10-6的氢气/氮气混合气进行了检测.结果表明,在VGs=-1.5V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9％的灵敏度变化量.同时,器件对2× 10-6的氢气具有6.3％的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限.