后天抑制剂取向硅钢析出物的研究

• 作者: 吴忠旺 李军 李波 赵宇
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 硅钢 析出物 渗N Si3N4
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 测试与表征
• 页码范围: 55-58
• 分类号: TG142.77
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2012.07.012

摘要

采用“后天抑制剂法”制备取向硅钢,通过TEM研究热轧、常化、脱C和渗N阶段析出物的类型和分布.结果表明,热轧、常化和脱C板中的析出物主要是AIN颗粒,AlN颗粒在热轧、常化和脱C板中分布密度低；渗N后钢中形成非晶态Si3N4颗粒,非晶态Si3N4颗粒有多边形大块状和规则小四方形2种形貌,多边形大块状Si3N4颗粒分布在晶界,规则小四方形Si3N4颗粒主要分布在晶内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李波		14	90	5.0	9.0
2	李军	安泰科技股份有限公司功能材料事业部	20	193	7.0	13.0
3	赵宇	安泰科技股份有限公司功能材料事业部	23	227	9.0	15.0
4	吴忠旺	安泰科技股份有限公司功能材料事业部	2	17	1.0	2.0