硅衬底对纳米ZnO/p-Si异质结酒精敏感性能的影响

• 作者: 刘晓龙 周小岩 李传勇 韩治德
• 来源期刊: 中国石油大学学报(自然科学版)
• 关键词: ZnO薄膜 p-Si衬底 电阻率 气体传感器
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 信息技术与基础科学
• 页码范围: 179-183
• 页数: 5页
• 分类号: O611.62|O614.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5005.2012.05.034

摘要

采用射频磁控溅射的方法在不同电阻率的p型硅衬底上沉积氧化锌薄膜,制备了ZnO/p-Si异质结.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析ZnO薄膜的物相结构和表面形貌.研究室温下不同电阻率的硅衬底对ZnO/p-Si异质结电流-电压特性和酒精敏感特性的影响.结果表明:ZnO薄膜结晶情况良好,具有高度的c轴择优取向,表面颗粒分布均匀；ZnO/p-Si异质结酒精敏感性依赖于p-Si衬底,当p-Si衬底的电阻率为10～20Ω· cm时,其气敏性能最强；该异质结在+4.0 V的偏置电压下,对0.024 g/L酒精气体的灵敏度为39.7％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓龙	中国石油大学理学院	11	37	3.0	6.0
2	周小岩	中国石油大学理学院	11	42	4.0	6.0
3	韩治德	中国石油大学理学院	2	11	1.0	2.0
4	李传勇	中国石油大学理学院	1	1	1.0	1.0