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电工材料 期刊
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Sn1-xBixO2纳米粉体的制备及其表征
Sn1-xBixO2纳米粉体的制备及其表征
作者:
乔秀清
杨辉
樊先平
申乾宏
穆成法
陈乐生
原文服务方:
电工材料
SnO2
Bi掺杂
纳米粉体
晶粒尺寸
密度
电接触材料
摘要:
以SnCl4·5H2O和BiCl3为原料,采用化学共沉淀法制备了不同Bi掺杂量的SnO2纳米粉体,利用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备的粉体进行了表征.结果表明,当Bi掺杂量低于30%时,SnO2纳米粉体的晶体结构保持为金红石四方相结构,Bi原子部分置换了Sn的位置;当掺杂量为30%时,开始形成杂质相BiOCl.掺杂Bi元素可细化SnO2纳米晶粒,经700℃焙烧后,未掺杂Bi元素的SnO2晶粒尺寸约为29 nm,而掺杂Bi元素的SnO2晶粒尺寸约为10 nm.此外,Bi元素的掺杂还可在一定程度上提高SnO2粉体的密度.
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文献信息
篇名
Sn1-xBixO2纳米粉体的制备及其表征
来源期刊
电工材料
学科
关键词
SnO2
Bi掺杂
纳米粉体
晶粒尺寸
密度
电接触材料
年,卷(期)
2012,(3)
所属期刊栏目
研究·分析
研究方向
页码范围
3-6,10
页数
5页
分类号
TM205.+1
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
申乾宏
浙江大学材料科学与工程学系
54
459
13.0
19.0
5
樊先平
浙江大学材料科学与工程学系
56
517
12.0
20.0
9
陈乐生
5
3
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13
乔秀清
浙江大学材料科学与工程学系
5
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穆成法
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Bi掺杂
纳米粉体
晶粒尺寸
密度
电接触材料
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研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
电工材料
主办单位:
桂林电器科学研究院有限公司
出版周期:
双月刊
ISSN:
1671-8887
CN:
45-1288/TG
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1973-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
1336
总下载数(次)
0
总被引数(次)
5113
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