可控三相电抗器IGBT电路实现过渡分析

• 作者: 方超颖 李忠民 熊元新
• 来源期刊: 电力学报
• 学科: 数学
• 关键词: 电力电子 过渡过程分析 临界电容 仿真分析 电容效应
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 250-253
• 页数: 4页
• 分类号: O241
• 字数: 1951字
• 语种: 中文

摘要

对可控三相电抗器IGBT电路实现的过渡过程进行仿真分析.在实验电路起始参数的基础上,研究负载电容对过渡过程的影响,结果表明负载电容足够大时,过渡过程时间可降为零.各电抗器可控电容相等时,电抗器可控电容越大所对应的的负载电容临界值也越大,且两者之间的比例关系随电容增大呈变小趋势,这是由IGBT器件电容效应引起的.最后,分别分析了靠近电源端的可控电容和靠近负载端的可控电容对可控电抗器过渡过程的影响,结果表明靠近电源端的电抗器可控电容对过渡过程影响较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊元新	武汉大学电气工程学院	54	467	10.0	20.0
2	李忠民	武汉大学电气工程学院	11	97	5.0	9.0
3	方超颖	武汉大学电气工程学院	11	76	4.0	8.0