1.8GHz AlN薄膜体声波谐振器的研制

• 作者: 王胜福 许悦 郑升灵 韩东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜体声波谐振器 滤波器 振荡器 Q值 有效机电耦合系数(Keff2)
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 电路与组件
• 页码范围: 146-149
• 分类号: TN75
• 字数: 1241字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.02.013

摘要

提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究.采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟.给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结果:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为1.781和1.794 GHz,相应的有效机电耦合系数为1.8％；串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为308和246.该谐振器样品实际尺寸为0.45 mm×0.21 mm × 0.5 mm,可以用来制备高性能的滤波器、双工器和低相噪射频振荡器等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩东	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	65	5.0	7.0
2	郑升灵	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	35	3.0	5.0
3	许悦	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	32	3.0	5.0
4	王胜福	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	38	4.0	6.0