3D堆叠技术及TSV技术

• 作者: 朱健
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 三维堆叠 硅通孔 三维集成
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 微纳米技术
• 页码范围: 73-77,94
• 分类号: TN405
• 字数: 2733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.01.016

摘要

介绍了3D堆叠技术及其发展现状,探讨了W2W(Wafer to wafer)及D2W(Die to wafer)等3D堆叠方案的优缺点,并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Through silicon via)互连工艺的关键技术,探讨了先通孔、中通孔及后通孔的工艺流程及特点,介绍了TSV的市场前景和发展路线图.3D堆叠技术及TSV技术已经成为微电子领域研究的热点,是微电子技术及MEMS技术未来发展的必然趋势,也是实现混合集成微系统的关键技术之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	43	318	11.0	16.0