掺杂技术对阻变存储器电学性能的改进

• 作者: 刘明 刘琦 吕杭炳 张森 李颖弢 杨建红 王慰 王艳 连文泰 龙世兵
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 非易失性存储器 阻变存储器(RRAM) 掺杂技术
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 314-319
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-011-4930-0

摘要

本文总结和分析了掺杂技术对阻变存储器性能的改善,实验上,以Cu/ZrO2/Pt器件为基础,分别使用Ti离子、Cu,Cu纳米晶对器件进行掺杂.将掺杂过的器件与未掺杂的器件进行对比,发现掺杂的作用集中在四点:消除电形成过程、降低操作电压、提升电学参数的均一性和提高器件良率.除此之外,使用掺杂还可以提升器件高阻态的稳定性和保持特性.结果表明,掺杂技术是优化RRAM电学性能的有效方法.