英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存

• 作者: 郑冬冬
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: NAND 金属栅极 工艺制程 nm 首款 浮栅 联合开发 独立型 固态硬盘 制程技术
• 年，卷（期）: bdtxx_2012,（1）
• 页码范围: 22-22
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

【正】英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预