稀氮Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件

• 作者: 吕英飞 孙常鸿 孙艳 戴宁 王奇伟 胡淑红 邓惠勇 邱锋
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: 稀氮Ⅲ-Ⅴ族半导体 InAsN InSbN 中长波红外器件
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-7
• 分类号: TN213
• 字数: 5445字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2012.02.001

摘要

将少量氮原子加入Ⅲ-Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪.这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力.特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用.