采用CHF3和O2等离子体刻蚀PI的各向异性研究

• 作者: 吴峰霞 王文赫
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 聚酰亚胺(PI) 各向异性 微掩膜 深宽比 钝化膜
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 683-687
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.10.010

摘要

研究了一种有效刻蚀聚酰亚胺(PI)的干法刻蚀方法,以金属铬为掩膜,刻蚀经涂胶并亚胺化而得到具有一定厚度的PI薄膜.利用反应离子刻蚀设备(RIE)将O2和CHF3按一定比例混合,适当调节刻蚀压力、气体比例、功率、时间等因素,可以得到侧壁和底面光洁、具有不同表面形貌的刻蚀结构.借助台阶仪和显微测量工具测定刻蚀样片,进一步得到不同工艺参数下刻蚀深宽比,并通过分析得出其他因素对PI刻蚀深宽比的影响趋势.该项研究避免了“微掩膜”效应所产生的表面粗糙问题,同时优化了刻蚀工艺,得到各向异性刻蚀的具体工艺参数,为PI不同应用目的选择刻蚀工艺提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴峰霞		1	0	0.0	0.0
2	王文赫		1	0	0.0	0.0