Etching Mechanisms of CF3 Etching Fluorinated Si： Molecular Dynamics Simulation

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孙伟中张浚源芶富均贺平逆赵成利邓朝勇陈峰陈旭

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分子动力学模拟

CF3

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篇名	Etching Mechanisms of CF3 Etching Fluorinated Si： Molecular Dynamics Simulation
来源期刊	等离子体科学和技术：英文版	学科	工学
关键词	分子动力学模拟 CF3 蚀刻率硅刻蚀机理表面能量仿真结果稳定状态
年，卷（期）	2012,（7）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	670-674
页数		分类号	TP391.9\|TG111.4
字数		语种	英文
DOI