邻仲丁基苯酚在碳糊电极上的电化学行为

• 作者: 王敏毅 肖佳 邱奇 郑少华 黄颖
• 来源期刊: 福建师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 邻仲丁基苯酚 碳糊电极 电化学行为
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 54-59
• 分类号: O657.1
• 字数: 2786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5277.2012.03.011

摘要

通过循环伏安法(CV)、微分脉冲伏安法(DPV)和计时库仑法(CC)等研究了邻仲丁基苯酚(o-sec butyl phenol,osBP)在碳糊电极上的电化学行为.结果表明:在pH7.5的B-R缓冲液中,osBP在碳糊电极上发生的氧化反应是受吸附控制的不可逆等电子、质子转移过程,且氧化产物部分被还原.氧化峰电流与浓度在1.0～200 μmol/L之间呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为0.54 μmol/L.相对标准偏差(RSD)为3.2％ (n=5),该法用于模拟环境水样分析,加标回收率为84.9％～98.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄颖	福建师范大学化学与材料学院	59	204	7.0	12.0
2	王敏毅	福州职业技术学院技术工程系	17	36	4.0	5.0
3	郑少华	福建师范大学化学与材料学院	6	7	2.0	2.0
4	邱奇	福建师范大学化学与材料学院	2	0	0.0	0.0
5	肖佳	福建师范大学化学与材料学院	5	9	2.0	3.0