提高光刻线宽分辨率的实验与分析

• 作者: 李苏苏
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 曝光 显影 线宽
• 年，卷（期）: jcdltx,（2）
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7

摘要

随着半导体器件向高频率和超大规模方向发展，不断提高光刻线宽控制水平是首要之举。通过对曝光和显影工艺过程的研究，得到了在MA6光刻机上实现1微米线宽精度的工艺参数，提高了光刻工艺的控制水平。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李苏苏	北方通用电子集团有限公司微电子部	1	0	0.0	0.0