评估MOSFET在重复性未钳位感应开关／短路条件下的瞬态结温

• 作者: David Lee
• 来源期刊: 今日电子
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 感应开关 重复性 结温 瞬态 短路 钳位 评估
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 分立半导体特刊
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1561字
• 语种: 中文

摘要

功率MOSFET数十年以来一直是电子设计的基础，为多种应用提供开关功能，并替代了简单的晶体管器件。在大多数情况下，它们用于对系统设计的大功率电路进行控制及稳压。技术进步及商业压力已经使市场上出现更紧凑、更高密度、更低噪声及更高性价比的M0SFET，

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	David Lee		1	0	0.0	0.0