微电子封装中助焊剂残留物对无铅焊点电化学迁移的影响研究

• 作者: 徐冬霞 王东斌 王彩芹 韩飞
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子封装 助焊剂残留物 无铅焊料 电化学迁移
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 740-744
• 分类号: TG454|TQ423
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2012.05.011

摘要

采用96.5Sn3.0Ag0.5Cu无铅焊料以及一种免清洗助焊剂NCF(焊后不清洗)和一种水溶性助焊剂WSF(焊后清洗和焊后不清洗)分别焊接了3组PCB试件,进行了电化学迁移测试,评价助焊剂焊后残留物的绝缘可靠性.试验结果表明:使用NCF焊接后的第一组试件和使用WSF焊接(焊接后清洗)的第三组试件可以满足标准要求；使用WSF焊接(焊接后未清洗)的第二组试件最终绝缘电阻值下降幅度最大,不符合标准要求,并且在高倍显微镜下观察试件发现有树枝晶生成,说明助焊剂残留物的存在使得试件在试验条件下发生了电化学迁移现象.分析探讨了电化学迁移发生的原因,认为电化学迁移与清洗工艺、助焊剂的成分、固体含量和酸度有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彩芹		2	5	1.0	2.0
2	徐冬霞	河南理工大学材料科学与工程学院	18	78	4.0	8.0
3	王东斌	河南理工大学材料科学与工程学院	17	77	4.0	8.0
4	韩飞		6	45	3.0	6.0