SOI材料片缺陷研究

• 作者: 吴建伟 孙建洁 陈海峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 缺陷 SIMOX 键合后智能剥离
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.04.011

摘要

SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI（绝缘体上硅）两类不同材料片SIMOX（注氧隔离法）SOI和Bonded Smart-Cut（智能剥离法）SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进行详细的介绍,并对其在半导体工艺中产生的影响做了深入的阐述。结合目前实际工艺生产线的情况,将SOI材料片的检测分为两大类：可直接测试的表面及内部缺陷;间接的材料性能特征检测。同时提供了大量SOI材料片可行的测试原理,为工艺线SOI材料片缺陷检验提供了有效的方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈海峰		10	3	1.0	1.0
2	吴建伟		25	39	4.0	4.0
3	孙建洁		3	5	2.0	2.0