非等温模型下LED芯片性能与衬底的关系

• 作者: 徐进良 王天虎 王晓东
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 内量子效率 衬底 温度场
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 616-623
• 分类号: TN312.8
• 字数: 5156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123306.0616

摘要

发光二极管(LED)中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布,而芯片温度又影响载流子的输运及复合,两者具有强烈的耦合关系.本文利用非等温多物理场耦合模型对以蓝宝石、Si及SiC为衬底的LED芯片的内量子效率、光谱特性及光电转换效率进行了系统研究.结果表明:以SiC为衬底的LED芯片具有最小的效率下垂效应(Efficiency droop)及最高的光谱强度和光电转换效率.这是因为与其他两种衬底的LED芯片相比,以SiC为衬底的LED芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐进良	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	120	474	11.0	16.0
2	王晓东	华北电力大学低品位能源多相流与传热北京市重点实验室	63	215	9.0	11.0
3	王天虎	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	3	2	1.0	1.0