MPCVD法合成单晶体金刚石的工艺探索(上)

• 作者: 刘剑红 吴改 宫旎娜 王健行 陈美华
• 来源期刊: 超硬材料工程
• 学科: 工学
• 关键词: MPCVD 单晶 金刚石
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TQ164|TS933
• 字数: 1895字
• 语种: 中文

摘要

在CVD法合成单晶体金刚石技术中,如何提高生长速率、生长质量以及单晶体体积是业界关注的焦点.选取5粒(100)方向的合成单晶金刚石作为种晶材料,其中包含2粒Ⅱa型CVD法合成的种晶,3粒Ib型HPHT法合成的种晶,采用MPCVD法合成单晶体金刚石,获得了较理想的阶段性进展.实验参数范围是:温度为800℃～1100℃,压力为8000～11000Pa,功率为2500W.通过显微放大观察发现样品实现三维的生长模式,即在生长过程中表面积不断扩大,厚度不断增长,并在各表面留下了有明显特征的阶梯状生长纹和锥形生长丘.其中厚度最大增值为0.52mm,重量增加0.13ct.实验中首次得到了高质量透明的金刚石生长层.拉曼光谱分析表明,合成样品均存在金刚石特征的1332cm-1强峰,部分样品还伴随有少量的非金刚石相.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈美华	中国地质大学珠宝学院	51	540	9.0	22.0
2	吴改	中国地质大学珠宝学院	6	16	3.0	4.0
3	宫旎娜	中国地质大学珠宝学院	4	16	2.0	4.0
4	刘剑红	中国地质大学珠宝学院	3	9	1.0	3.0
5	王健行	中国地质大学珠宝学院	4	10	2.0	3.0