一种新型CMOS带隙基准电压源

• 作者: 吴旭 季惠才 王镇道 陈迪平 黄嵩人
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙电压基准源 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.04.005

摘要

传统带隙基准源电路采用PNP型三极管来产生ΔVbe,此结构使运放输入失调电压直接影响输出电压的精度。文章在对传统CMOS带隙电压基准源电路原理的分析基础上,提出了一种综合了一阶温度补偿和双极型带隙基准电路结构优点的高性能带隙基准电压源。采用NPN型三极管产生ΔVbe,消除了运放失调电压影响。该电路结构简洁,电源抑制比高。整个电路采用SMIC 0.18μmCMOS工艺实现。通过Cadence模拟软件进行仿真,带隙基准的输出电压为1.24V,在-40℃~120℃温度范围内其温度系数为30×10-6/℃,电源抑制比（PSRR）为-88 dB,电压拉偏特性为31.2×10-6/V。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈迪平	湖南大学物理与微电子科学学院	56	273	9.0	13.0
2	王镇道	湖南大学物理与微电子科学学院	40	173	8.0	11.0
3	季惠才		18	68	4.0	7.0
4	黄嵩人		14	55	3.0	7.0
5	吴旭	湖南大学物理与微电子科学学院	6	22	3.0	4.0