自填隙原子对Si晶体性能影响的研究

• 作者: 卜琼琼 杨宇 王茺 陆顺其 靳映霞
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 缺陷 硅基 光学性质
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 页码范围: 598-601
• 分类号: O734
• 字数: 2710字
• 语种: 中文

摘要

运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响.理论计算表明,缺陷使体 Si 材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变,空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	靳映霞	云南大学光电信息材料研究所	22	112	6.0	9.0
4	陆顺其	云南大学光电信息材料研究所	2	3	1.0	1.0
5	卜琼琼	云南大学光电信息材料研究所	2	3	1.0	1.0