SiO2对低温烧结压电陶瓷PMNNS的性能影响

• 作者: 刘彭义 常鹏 林彩平 陈伟业
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压电陶瓷 PMNNS 低温烧结 SiO2
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 141-145
• 分类号: TQ174
• 字数: 2752字
• 语种: 中文

摘要

在烧结温度为1020℃下,采用同相二步合成法制备了Pb( Ni1/3 Nb2/3 )0.05( Mn1/3 Nb2/3 )0.04( Mn1/3 Sb2/3)0.01(Zr1/2Ti1/2)0.9O3(PMNNS)压电陶瓷,研究了加入不同掺杂量的SiO2对陶瓷的结构与机电性能的影响.结果表明:加入SiO2可以明显地降低烧结温度；而且当SiO2的掺杂最为0.1％时,陶瓷的性能最佳,其性能如下:d33 =331 pC/N,tanδ =0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr =917.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彭义	暨南大学物理系	53	370	10.0	18.0
5	常鹏	暨南大学物理系	5	6	1.0	2.0
9	陈伟业	暨南大学物理系	3	10	2.0	3.0
13	林彩平	暨南大学物理系	1	3	1.0	1.0