台积电谈有关28nm工艺良率问题

• 作者: 吴琪乐
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 欧洲公司 缺陷密度 NM 晶圆生产 Maria 发展趋势
• 年，卷（期）: bdtxx_2012,（1）
• 页码范围: 27-27
• 页数: 1页
• 分类号: F416.6

摘要

【正】台积电(TSMC)日前回应了稍早前分析师指称该公司28nm CMOS工艺存在着良率问题的说法。台积电欧洲公司总裁Maria Marced重申她与其他台积电高层之前所强调的:减少28nm节点的缺陷密度一直在掌握中,以量产进度来看甚至快于40/45nm工艺技术。