10μF硅电容器：硅电容器

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电容器 硅电容 可靠性 稳定性 硅技术 漏电流
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 38-38
• 页数: 1页
• 分类号: TM53
• 字数: 1112字
• 语种: 中文

摘要

IPDIA推出10μF的硅电容，具有较好的稳定性和可靠性特点，专为要求苛刻的应用而设计。新的使用专利3D硅技术的10μF电容，其低漏电流可低至12nA。