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摘要:
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
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文献信息
篇名 双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 双沟平面掩埋异质结 液相外延 漏电流
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 342-345
页数 分类号 TN305
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 方亮 重庆大学物理学院应用物理系 62 513 12.0 18.0
2 周勇 14 49 4.0 6.0
3 周雪梅 1 2 1.0 1.0
4 韩伟峰 4 15 3.0 3.0
5 罗庆春 4 16 3.0 4.0
6 黄茂 5 17 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
双沟平面掩埋异质结
液相外延
漏电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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