S波段连续波输出功率20W的SiC MESFET

• 作者: 娄辰 潘宏菽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 金属-肖特基场效应晶体管 连续波 大功率 高增益
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 355-358
• 分类号: TN386.3
• 字数: 3095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.05.006

摘要

采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10W的SiC MESFET.经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30％的SiC MESFET研制结果.器件的功率增益和输出功率较以往的研制结果均得到显著提高,器件的反向截止泄漏电流也大幅度降低.由于器件未采用内匹配结构,其体积也化一般内匹配器件的体积小.研制结果为多胞合成实现更大功率输出的器件创造了条件,也使S波段连续波大功率输出器件的研制水平上了一个新的台阶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宏菽		8	21	2.0	4.0
2	娄辰	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	16	2.0	4.0