N2OPlasma表面处理对SiNx基IGZOTFT性能的影响

• 作者: 周帆 张建华 张志林 张浩 李俊 林华平 蒋雪茵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 InGaZnO plasma 处理 N2O
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 400-403
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2653字
• 语种: 中文

摘要

采用N2Oplasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管.与常规的IGZOTFT相比,N2Oplasma处理过的IGZOTFT的迁移率由原来的4.5cm2·V-1·s-1增加至8.1cm2·V-1·s-1,阈值电压由原来的11.5V减小至3.2V,亚阈值摆由原来的1.25V/decade减小至0.9V/decade.采用CV方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2Oplasma处理过的IGZOTFT的陷阱态明显小于普通的IGZOTFT的陷阱态,表明N2Oplasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZOTFT器件性能的有效方法

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋雪茵	上海大学材料科学与工程学院	102	764	14.0	17.0
2	张志林	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	100	763	14.0	17.0
3	张建华	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
4	张浩	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	19	62	5.0	6.0
5	李俊	上海大学材料科学与工程学院	13	27	3.0	4.0
6	林华平	上海大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0
7	周帆	上海大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0