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摘要:
采用N2Oplasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管.与常规的IGZOTFT相比,N2Oplasma处理过的IGZOTFT的迁移率由原来的4.5cm2·V-1·s-1增加至8.1cm2·V-1·s-1,阈值电压由原来的11.5V减小至3.2V,亚阈值摆由原来的1.25V/decade减小至0.9V/decade.采用CV方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2Oplasma处理过的IGZOTFT的陷阱态明显小于普通的IGZOTFT的陷阱态,表明N2Oplasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZOTFT器件性能的有效方法
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文献信息
篇名 N2OPlasma表面处理对SiNx基IGZOTFT性能的影响
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 薄膜晶体管 InGaZnO plasma 处理 N2O
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 400-403
页数 分类号 TN321+.5
字数 2653字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋雪茵 上海大学材料科学与工程学院 102 764 14.0 17.0
2 张志林 上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室 100 763 14.0 17.0
3 张建华 上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室 106 709 13.0 21.0
4 张浩 上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室 19 62 5.0 6.0
5 李俊 上海大学材料科学与工程学院 13 27 3.0 4.0
6 林华平 上海大学材料科学与工程学院 2 3 1.0 1.0
7 周帆 上海大学材料科学与工程学院 2 3 1.0 1.0
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薄膜晶体管
InGaZnO
plasma 处理
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