离子源及厚靶参数对氘氚反应中子源中子产额的影响

• 作者: 彭宇飞 杨振 石金水 董攀 蓝朝晖 龙继东
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 氘氚反应 中子产额 靶膜 氘离子源
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 591-595
• 分类号: O571.53
• 字数: 4669字
• 语种: 中文

摘要

用厚靶氘氚(D-T)反应中子产额的计算方法模拟计算了入射氘离子能量为120 keV时D-T中子源的中子产额.研究了氘离子源产生的束流中单原子氘离子(D+)及双原子氘离子(D2+)比例对中子产额的影响.结果表明,提高D+比例,同时降低D2+比例将有效提高中子产额.另外还研究了不同靶膜材料及组分引起的中子产额变化.表明中子产额与靶膜中氚的含量成正比,与靶膜元素的原子质量成反比.同时分析讨论了离子源品质及靶参数对中子源整体性能的影响,得出离子源束流品质的提高对中子源整体的设计至关重要.最后,模拟计算了靶膜表面有氧化层情况下中子产额的变化,并与实验结果作了对比.在此基础上提出了一种新的靶设计方案,并对其物理可行性进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石金水	中国工程物理研究院流体物理研究所	68	304	10.0	13.0
2	杨振	中国工程物理研究院流体物理研究所	12	17	2.0	3.0
3	龙继东	中国工程物理研究院流体物理研究所	29	44	4.0	5.0
4	蓝朝晖	中国工程物理研究院流体物理研究所	12	26	3.0	4.0
5	董攀	中国工程物理研究院流体物理研究所	17	27	3.0	4.0
6	彭宇飞	中国工程物理研究院流体物理研究所	9	21	3.0	3.0