施主受主共掺实现N型ZnS的第一性原理研究

• 作者: 罗敏 董会宁 邓博
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS 第一性原理 共掺 低阻N型半导体
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 测试测量技术
• 页码范围: 8-10
• 分类号: TN304.25
• 字数: 2043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2012.01.003

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理，利用施主受主共掺方案研究了低阻N型ZnS，通过计算得到2Al，帆的共掺形成能为-0．73eV，离化能为73meV，远小于单掺Al的情况。态密度分析表明，2Alzn-Ns共掺后导带向低能方向移动并出现峰值，价带性质几乎不变，导带底的峰值主要由N-3s和Al-3s态贡献。因此，2Ak-Ns共掺可得到低阻N型ZnS。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董会宁	重庆邮电大学数理学院应用物理研究所	41	206	6.0	13.0
2	邓博	重庆邮电大学数理学院应用物理研究所	3	1	1.0	1.0
3	罗敏	重庆邮电大学数理学院应用物理研究所	1	1	1.0	1.0