嵌入式电容用钛酸钡/聚酰亚胺复合薄膜的制备及性能研究

• 作者: 党智敏 方也 查俊伟 白晓飞 赵航
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 微观结构 介电性能 复合材料
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 14-16
• 分类号: TM215.3|TM206
• 语种: 中文

摘要

对钛酸钡(BT)纳米粒子进行了表面改性,采用原位聚合法将钛酸钡与聚酰亚胺复合制备了高介电BT/PI复合薄膜,为了进一步提高介电性能,将第三组分炭黑掺入其中,并对其进行了红外光谱、扫描电镜(SEM)分析和介电性能测试.结果表明:与未改性的复合薄膜相比,改性后纳米粒子在基体中分散更加均匀,复合薄膜的介电性能明显提高,可用于制备嵌入式电容中的电介质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	查俊伟	北京科技大学化学与生物工程学院	14	80	6.0	8.0
2	党智敏	北京科技大学化学与生物工程学院	15	54	5.0	7.0
3	赵航	北京化工大学材料科学与工程学院	4	27	3.0	4.0
4	方也	北京化工大学材料科学与工程学院	3	27	3.0	3.0
5	白晓飞	北京化工大学材料科学与工程学院	3	27	3.0	3.0