高性能低功耗高速缓存的V-LRU RAM单周期清零技术

• 作者: 岑俊龙 李可 梁松海 涂志娣 萱磊
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 单周期清零 V-LRU RAM 高速缓存 时钟周期 缺失率
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 97-101
• 分类号: TN79+1
• 字数: 3978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.01.024

摘要

提出并实现了一种高速缓存的V-LRU RAM单周期清零技术.运行操作系统的CPU在不同任务之间切换时,需要对V-LRU RAM清零.使用传统的计数器依次清空V-LRU RAM的各行,CPU会白白浪费很多个时钟周期.在一个时钟周期对V-LRU RAM清空,可以大大提高CPU的性能.在四路组相联的高速缓存设计中,容量为16 k、8k和4k字节时,使用该技术可以将以前的256、128和64个时钟周期降低到只有1个时钟周期.基于SMIC O.13μm工艺,实现该技术的硬件电路面积为6 312.8μm2,且高速缓存的缺失率保持在非常低的水平.这种技术同样适用于对RAM需要单周期清空的场合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂志娣	深圳大学光电子学研究所	4	10	1.0	3.0
2	萱磊	深圳大学光电子学研究所	1	0	0.0	0.0