抛光垫提高化学机械抛光接触压强分布均匀性研究

• 作者: 吕玉山 张辽远 王军 王武刚
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 机械制造工艺与设备 抛光 单晶硅片 接触压强 葵花籽粒分布 Winkler地基
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 617-622
• 分类号: TN305.2|TH161
• 字数: 3901字
• 语种: 中文

摘要

为了改善单晶硅片化学机械抛光(CMP)接触压强分布的均匀性和实现高平坦化抛光,基于弹性力学的“Winkler地基”理论提出了一个新的CMP接触模型.依据此模型,从葵花籽粒分布的结构特征出发对抛光垫进行了分割,计算分析了分割参数对接触压强分布的影响规律,并实验验证了分割参数对硅片抛光平面度轮廓的影响规律.研究结果表明:当分割参数为顺时针0.008～0.009 mm,逆时针为0.005～0.006 mm时,抛光接触压强分布较为均匀,并使得被抛光晶片的平面度得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	沈阳理工大学机械工程学院	75	296	8.0	11.0
2	吕玉山	沈阳理工大学机械工程学院	69	290	9.0	13.0
3	张辽远	沈阳理工大学机械工程学院	48	238	10.0	13.0
4	王武刚		2	10	1.0	2.0