Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响

• 作者: 冯光辉 郝东山
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁化等离子体光子晶体 缺陷模 有限时域差分法 耦合 多光子非线性Compton散射
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 光子晶体
• 页码范围: 482-487
• 分类号: O431.1
• 语种: 中文

摘要

应用多光子非线性Compton散射模型和有限时域差分法,对Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响进行了理论分析和数值模拟.结果表明,与Compton散射前的情况相比,Compton散射使低温低频处光子禁带中存在缺陷模的明显度降低,缺陷模频率增大,缺陷模和透射率峰值减小；使高温高频处缺陷模和透射率峰值、缺陷模频率显著增大,禁带宽减小,缺陷模位置向高频方向移动.随着电子密度的增大,散射减小了禁带增大效应和缺陷模减小效应,增强了缺陷模频率增大效应；随着电子密度的降低,散射增强了禁带变窄效应、缺陷模峰值增大效应和缺陷模频率减小效应.利用Compton散射,可实现对缺陷模密温特性的有效控制.