掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性

• 作者: 徐应强 汤宝 牛智川 王国伟 邓爱红 陈燕
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 原子力显微镜 正电子湮没 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 298-301
• 分类号: O474
• 字数: 2289字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2012.00298

摘要

分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓爱红	四川大学物理科学与技术学院物理系	26	66	5.0	6.0
2	陈燕	四川大学物理科学与技术学院物理系	41	180	8.0	12.0
4	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
5	徐应强	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	17	50	4.0	6.0
8	汤宝	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	2	9	2.0	2.0
9	王国伟	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	8	20	4.0	4.0