AIN MOCVD生长模式的密度泛函研究

• 作者: 程锦荣 胡相焱
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: AIN MOCVD 密度泛函理论 生长模式
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 43-46
• 分类号: O469
• 字数: 1532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2012.05.009

摘要

采用密度泛函理论(density functional theory)和Gaussian03程序包研究AIN MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)的生长模式,得到与实验观察相一致的计算结果,给出AIN MOCVD在衬底上生长出单层薄膜后,然后进行的是岛状生长而不是层状生长的理论解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程锦荣	安徽大学物理与材料科学学院	22	116	6.0	9.0
2	胡相焱	安徽大学物理与材料科学学院	1	1	1.0	1.0