射频磁控溅射法制备硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的研究

• 作者: 王陆一 石兵 蒋向东
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化非晶硅 硼轻掺杂 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 623-626
• 页数: 4页
• 分类号: TB742|O756
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.06.001

摘要

研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响.采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表明,衬底温度和溅射功率对薄膜的沉积速率、掺杂量、光吸收系数、电导率等有着很大的影响,在温度300℃,溅射功率300 W时沉积速率达到最大.通过实验得到的规律可以通过调整工艺参数来得到性能优良的硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋向东	电子科技大学光电信息学院	34	154	6.0	10.0
2	石兵	电子科技大学光电信息学院	10	42	3.0	6.0
3	王陆一	电子科技大学光电信息学院	14	9	2.0	2.0