SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯三元复合物的合成及其电化学电容性能

• 作者: 吴红英 张亚军 张子瑜 张富海 张海英 杨玉英 梁鹏举 胡中爱
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯 三元复合材料 电化学电容
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 开发应用
• 页码范围: 138-141
• 分类号: TQ320.1
• 字数: 4137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2012.04.046

摘要

采用两步法制备出均匀分散的SnO2/还原氧化石墨烯(SnO2/RGO)二元复合物,再以二元复合物为模板,通过化学氧化法聚合吡咯(Py)单体,制备出SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯(SnO2/RGO/PPy)三元复合材料.利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对复合材料结构和形貌进行物性表征,利用循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗对复合材料进行电化学性能研究,并讨论了不同含量的PPy对复合材料的结构和性能的影响.结果表明,所合成的三元复合材料的比电容随PPy含量的增加而增大,最大达到305.3F/g.三元复合物电容性能增强源于SnO2、RGO与PPy三者的相互协同作用,以及材料层状结构和大的比表面积.