宏力半导体建国内首个0．18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 嵌入式闪存 半导体制造 平台 工艺 漏电 微米 国内 宏
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 29-29
• 页数: 1页
• 分类号: TN305

摘要

上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—LowLeakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在现有的0．18微米“低功耗”工艺平台上实现了进一步技术提升，其