三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟

• 作者: 华超 毛俊楠 王红星 黄国强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 数值模拟 传质 反应 多晶硅 硅沉积速率
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 680-686
• 分类号: TQ150.1
• 字数: 3178字
• 语种: 中文

摘要

建立了氢气和三氯氢硅系统的多晶硅气相沉积反应模型,通过Chemkin4.0耦合气相反应、表面反应机理,利用流体力学软件Fluent 6.3.26数值求解.根据模拟结果绘制了进气温度、进气组成、沉积表面温度以及反应压力与硅沉积速率的关系曲线,阐述了这些条件对于硅沉积速率的影响,同时把模拟结果与文献中的实验数据和计算结果进行对比.结果表明,硅沉积速率随反应温度和反应压力的提高而提高,随进气温度的提高而提高,当氢气摩尔组成低于0.8时,与氢气物质的量组成成正比,氢气物质的量组成大于0.8时,与氢气摩尔组成成反比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄国强	天津大学化工学院	95	1000	18.0	25.0
2	王红星	福州大学化学化工学院	19	105	6.0	9.0
3	毛俊楠	天津大学化工学院	2	20	2.0	2.0
4	华超	中国科学院过程工程研究所	13	32	3.0	5.0