碱性抛光液中H2O2对铜布线CMP的影响

• 作者: 串利伟 刘玉岭 尹康达 岳红维 王胜利 王辰伟 郑伟艳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜布线 化学机械平坦化(CMP) 碱性抛光液 H2O2 高低差
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 553-556
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.08.011

摘要

化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用.介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜；H2O2对铜的钝化作用可以保护凹处铜膜不被快速去除,从而有效降低高低差.此外,还研究了碱性抛光液中不同H2O2浓度对铜的静态腐蚀速率、动态去除速率及铜布线平坦化结果的影响.研究表明:抛光液对铜的静态腐蚀速率随H2O2浓度的增大逐渐降低然后趋于饱和；铜的动态去除速率随H2O2浓度的增大而逐渐降低；抛光液的平坦化能力随H2O2浓度的增大逐渐增强再趋于稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王胜利	河北工业大学微电子研究所	26	107	6.0	8.0
3	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
4	郑伟艳	河北工业大学微电子研究所	8	72	5.0	8.0
5	尹康达	河北工业大学微电子研究所	4	41	3.0	4.0
6	岳红维	河北工业大学微电子研究所	4	22	2.0	4.0
7	串利伟	河北工业大学微电子研究所	3	22	3.0	3.0