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摘要:
GaN基高压直流发光二极管工艺制备,采用蓝宝石图形衬底(PSS)外延片制备正梯形芯粒结构的GaN基高压直流LED.相对其他结构器件,该结构器件发光效率最高,封装白光后,在色温4500 K,驱动电流20 mA时,光效116.06 lm/W,对应电压50 V.测试其I-V曲线表明,开启电压为36 V,对应驱动电流为1.5 mA;在电流15 mA至50 mA时,光功率随驱动电流增加近似于线性增加,在此区域光效随电流增加而降低的幅度比较缓慢,表明GaN基高压直流LED适宜于采用大电流密度驱动,而不会出现驱动电流密度增加导致量子效率明显下降(efficiencydroop),为从芯片层面研究解决量子效率下降难题提供了一种新思路.
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文献信息
篇名 GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析
来源期刊 物理学报 学科 工学
关键词 GaN基高压直流发光二极管 蓝宝石图形衬底 正梯形芯粒结构 发光效率
年,卷(期) 2012,(13) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 511-517
页数 分类号 TN312.8
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭志友 华南师范大学光电子材料与技术研究所广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室 34 336 12.0 17.0
2 曹东兴 1 8 1.0 1.0
3 梁伏波 1 8 1.0 1.0
4 杨小东 1 8 1.0 1.0
5 黄鸿勇 华南师范大学光电子材料与技术研究所广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaN基高压直流发光二极管
蓝宝石图形衬底
正梯形芯粒结构
发光效率
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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