量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究

• 作者: 刘小平 张涛 张运炎 王永力 范广涵 郑树文 龚长春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱垒层 掺杂浓度 数值模拟 双波长发光二极管
• 年，卷（期）: 2012,（13）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 518-526
• 分类号: O471.1
• 语种: 中文

摘要

采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长发光二极管发光光谱的调控问题.在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、载流子复合速率、能带结构、发光光谱进行分析,结果表明,调节最了阱垒层n型和p型的掺杂浓度可以精确而有效地根据需要调控发光光谱,解决发光光谱调控难的问题.这些现象归因于掺杂的量子阱垒层对电子空穴分布的调控作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	张涛	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	149	6.0	11.0
3	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
4	张运炎	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	34	4.0	5.0
5	刘小平	华南师范大学光电子材料与技术研究所	5	15	2.0	3.0
6	龚长春	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	2	1.0	1.0
7	王永力	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	2	1.0	1.0